©2002APS(b)溶剂化金属原子分散(SMAD)技术中金纳米粒子的近邻距离随温度的相对变化©2008APSNTE的相关电子机制在强相关电子材料中，贵圈个塌电荷，贵圈个塌自旋，电子和晶格自由度之间存在相当大的相互作用。

（F）SSPt-RuO2HNSs||SSPt-RuO2HNSs在100mAcm-2在PEM电解槽中的计时电位测试图四、贵圈个塌催化剂的结构分析（A-B）SSPt-RuO2HNSs、PtO2和Pt箔的PtL3-edgeXANES和PtL3-edgeEXAFS光谱。（B）在0和1.23V的过电位下，贵圈个塌RuO2和SSPt-RuO2HNSs上OER过程的自由能曲线。

（K）SSPt-RuO2HNSs的STEM图像和STEM-EDS元素映射图像图二、贵圈个塌电化学OER和HER研究（A-B）SSPt-RuO2HNS、RuO2HNSs和商用RuO2的OER极化曲线和相应Tafel斜率。详细实验表明，贵圈个塌间隙C的存在可以延长Ru-O和Pt-O键，引入的SSPt显著影响RuO2的电子作用。然而，贵圈个塌在酸性介质中高效的水分解受到反应动力学缓慢以及OER酸性和氧化环境恶劣的缺点的限制。

详细表征表明，贵圈个塌间隙C的存在可以延长SSPt-RuO2HNSs中的Ru-O键和Pt-O键，并且引入的SSPt显著影响RuO2的电子性质。贵圈个塌（F）SSPt-RuO2HNSs和商用RuO2的OK-edgeXANES光谱。

尽管RuO2对酸性OER的稳定性有很大提高，贵圈个塌但RuO2在酸性条件下的稳定性仍不能满足实际应用的要求。

贵圈个塌（H-J）从（E）中用白线突出显示的区域获得的线扫描强度分布。这个工作对缺陷引起的能带变化以及光生载流子激发、贵圈个塌分离提供了新的深入理解，为灵活操控缺陷工程来调控光催化剂催化性能提供更多的指导。

材料表面缺陷一方面产生丰富的配位不饱和位点，贵圈个塌利于水分子的吸附和活化产生羟基自由基。另一方面引起显著的晶格应变，贵圈个塌导致能带结构从间接带隙向直接带隙转变并削弱Bi−O、Bi−Br键，从而促进载流子的激发和空穴的俘获。

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